重回1990：我的科技强国路 作者:佚名
    第192章 团队攻14nmFinFET
    华夏芯谷14nm研发中心的灯光，与euv实验室的孤勇之光不同，这里的光芒密集而灼热。
    数百台伺服器组成的计算集群昼夜不休，散热风扇的轰鸣交织成一首沉闷的战歌，屏幕上滚动的晶片设计图、仿真曲线和良率分析报告，构成了这场“螺螄壳里做道场”攻坚战的核心战场。
    梁志远的眼睛布满血丝，下巴上冒出了青色的胡茬。
    他將一件厚厚的衝锋衣搭在椅背上，手里攥著一份刚列印出来的dtco仿真报告，指节因用力而微微发白。
    “章宸博士，你看这里。”
    他对著视频通话界面挥手，將报告凑近摄像头，
    “按照我们『设计换良率』的思路，把高性能cpu核心和部分缓存拆分，通过chiplet集成，仿真良率从18%提升到了35%，但电晶体漏电率超標了12%，而且芯粒间的互联延迟比预期高了5纳秒。这性能损失……太大了。”
    视频那头的章宸同样面色憔悴，他身后的白板上写满了关於finfet鰭片宽度与柵氧厚度的复杂公式。
    “漏电率问题出在duv多重图形的掺杂工艺上，”
    章宸的手指在触控板上滑动，调出一份三维电晶体结构图，
    “三重图形导致的离子注入深度不均匀，我们之前的仿真模型低估了这种边缘效应。我建议，將鰭式场效应电晶体（finfet）的柵极长度从14nm微调至14.5nm，牺牲一点极致性能，换取漏电率的显著下降。你让团队按这个新结构重新跑仿真。”
    “牺牲性能？”
    旁边一位年轻工程师忍不住插话，他叫陈默，是“星火计划”的优秀学员，脸上带著对极致性能的执著，
    “章博士，这样一来，我们的cpu单核频率会不会比水果的w3晶片差太多？市场能接受吗？”
    章宸看著屏幕里的年轻人，眼神温和却坚定：
    “陈默，我们现在的首要目標是『能造出来、能量產』。14nm工艺对我们而言，是从0到1的生死线，不是和巨头在极限性能上赛跑的舞台。先解决有无，再谈优劣。等良率稳定了，我们可以通过架构优化、甚至下一代工艺把性能追回来，但良率上不去，一切都是空谈。”
    梁志远拍了拍陈默的肩膀：
    “章博士说得对。用duv走多重图形，本身就是逆流而上，我们必须学会妥协，在性能、功耗、良率这个『不可能三角』里，找到属於我们自己的最佳平衡点。”
    陈默深吸一口气，点了点头，立刻转身投入到仿真参数的调整中。实验室里再次只剩下键盘敲击声和伺服器风扇的嗡鸣。
    几个小时后，新的仿真结果出来了：漏电率下降至標准范围內，互联延迟通过优化c-cis传输协议，压缩到了3.2纳秒，良率仿真数据定格在42%。
    “有进展！”
    团队里响起一阵压抑的欢呼。梁志远却不敢放鬆：
    “42%还不够，距离量產所需的60%良率还有巨大差距。我们必须找到影响良率的关键瓶颈。”
    他打开良率分析系统，调出电晶体失效分布图，屏幕上红色的失效热点，如同刺眼的警告，主要集中在cpu核心的柵极区域和芯粒互联的微焊盘处。
    “柵极区域的失效，根子在光刻胶。”
    一位工艺工程师分析道，
    “我们现在用的国產光刻胶，在14nm节点的线宽均匀性和边缘粗糙度上，经过三次曝光后，还是差了口气。”
    “互联焊盘的问题，在於duv多重图形导致的层间对准误差累积。”
    另一位封装专家补充，
    “每次曝光都有纳米级的偏差，叠加上去，焊盘的共面性就超標了，直接影响信號完整性和连接可靠性。”
    两个核心问题，如同两只拦路虎，让实验室的气氛再次凝重。
    梁志远立刻拨通了林薇的电话，语速急促：
    “林总，我们被卡住了：一是14nm级光刻胶的线宽均匀性，二是多重图形的层间对准误差。需要供应链和工艺团队的紧急支援！”
    林薇那边的背景音同样嘈杂：
    “光刻胶，『火炬』攻坚组联合沪市化学所研发的新一代產品刚完成中试，样品明天空运到芯谷。对准误差，华科院自动化所开发的基於『小芯』ai算法的视觉对准系统已通过验证，我让他们技术团队下午就带原型机过来对接！”
    支援来得如此之快，让团队精神一振。
    下午，ai视觉对准系统抵达。调试、连接、模擬曝光……当第一组检测数据跳出时，负责封装的工程师兴奋地挥拳：
    “层间对准误差从4.2纳米降至1.8纳米！互联焊盘的失效热点预计能减少一半以上！”
    第二天，新一代光刻胶送抵。工艺团队立刻启动验证流程。
    显微镜下，经过三次曝光、显影、刻蚀后的柵极图形边缘清晰、整齐，那令人头痛的锯齿状缺陷消失了！
    “所有障碍已扫清，启动第一次工程流片！”
    梁志远下达指令，整个研发中心的气氛瞬间绷紧至极限。
    晶圆在產线上流转，光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、化学机械拋光……每一道工序都牵动著所有人的心。
    三天后，首批20片工程样片完成，被送入测试实验室。
    探针台下，数据开始跳动。
    “漏电流达標！”“驱动电流超预期！”“芯粒互联成功率98.7%！”“cpu单核性能达到2.8ghz！”……
    一项项捷报传来，当最终的良率数据定格在“51%”时，实验室沸腾了！
    “51%！我们做到了！”陈默激动地跳起来，和同事们拥抱。
    梁志远眼眶湿润，用微微颤抖的手拍下测试屏幕，发给了章宸和陈醒。
    视频那头的章宸，疲惫的脸上露出了久违的、发自內心的笑容：
    “太好了！51%！我们跨过了技术验证的门槛！下一步，良率爬坡，衝击60%的量產线！”
    然而，喜悦的泡沫很快被新的测试结果刺破。
    在进行高温老化测试时，部分样片在125c极限温度下，出现了电晶体閾值电压漂移，导致性能衰减超过8%。
    “是热载流子注入效应。”
    梁志远眉头紧锁，
    “14nm节点的柵氧层太薄了，高温下电子更容易穿透，造成性能不可逆的衰退。”
    问题比想像中更顽固。章宸立刻组织跨团队线上会议。
    “必须在柵极结构上做文章，”
    他提出方案，
    “採用金属柵极+高k介质层的堆叠结构，中间增加一层氮化鈦作为阻挡层。同时，优化离子注入工艺，从源头上减少热载流子產生。”
    “材料这边，”
    徐文渊教授通过视频接入，
    “我们同步在测试氧化鉿基的高k柵氧材料，介电常数更高，能在同等厚度下提供更好的绝缘性能，样品一周內可以提供。”
    没有丝毫停歇，新一轮优化迅速启动。
    设计团队修改光罩图形，工艺团队调整上百个参数，材料团队同步推进。又是五天五夜不眠不休的奋战，第二批次工程流片启动。
    当最终的测试报告出来时，所有人都长舒一口气：
    高温閾值电压漂移控制在3%以內，性能衰减不足2%，完全满足商用標准。而最关键的良率数据，赫然达到了62%！
    “62%！良率达標了！”
    研发中心爆发出震耳欲聋的欢呼，掌声经久不息。
    梁志远靠在椅背上，闭上眼，疲惫的脸上终於露出了彻底放鬆的笑容。他立刻向陈醒报捷。
    陈醒正在euv实验室关注光源进展，接到电话，他停下脚步，眼中闪过难以抑制的亮色，紧绷的面容柔和下来：
    “好！梁工，章博士，还有整个团队，你们立了大功！这不仅是未来科技的突破，更是华夏半导体產业一个里程碑式的进展！”
    就在这时，实验室的门被猛地推开，赵静拿著平板电脑急匆匆走进来，脸上带著前所未有的凝重。
    “陈总，梁工，皮衣科技的p200 gpu开始全球大规模铺货了！亚逊云、微创云都宣布將其作为下一代ai训练的主力晶片，他们的批量採购价，比我们的『悟道1號』……低了15%以上！”
    她顿了顿，声音沉重，
    “我们接触的几家国內网际网路巨头，態度开始摇摆，都在询问我们下一代『悟道』晶片的进度和价格。”
    欢呼声戛然而止。
    梁志远脸上的笑容瞬间冻结。他看著屏幕上那来之不易的62%良率数据，心中五味杂陈。
    他们刚刚在製造端艰难地推开了一扇门，却发现市场端的暴风雨已经扑面而来。
    陈醒的声音通过电话传来，恢復了惯有的冷静与决断：
    “梁工，你们团队的成就非凡！现在，立刻將工作重心转向良率稳定和爬坡，目標是儘快稳定在70%以上，为『天权5號』的流片做好万全准备！”
    他话锋一转，语气变得锐利：
    “至於皮衣科技的价格战和市场攻势……赵静，通知管理层，半小时后紧急会议！我们不能等到『悟道2號』了，必须立刻回应！『悟道晶片战皮衣科技』的第一枪，我们不能退，也退不起！”
    电话掛断，梁志远看著身边从狂喜跌回现实的团队成员，深吸一口气，声音坚定如铁：
    “同志们！都听到了吗？我们在这里每提升一个百分点的良率，就是在为前线的兄弟多造一发子弹！接下来的目標，良率稳定至75%，同时，全力配合章博士团队，完成『天权5號』的最终设计！我们在这里多流一滴汗，前线的战友就能少流一滴血！”
    “是！”
    整齐的回应，带著破釜沉舟的勇气。
    华夏芯谷的夜色依旧深沉，但14nm研发中心的灯光，却比以往任何时候都更加灼热、坚定。
    他们刚刚贏得了一场艰苦的攻坚战，但所有人都明白，一场更加残酷、关乎生死存亡的市场决战，已经隨著皮衣科技的阴影，笼罩而来。